ПАСПОРТ ПРОГРАММЫ

Пояснительная записка

Дополнительная общеобразовательная (общеразвивающая программа) разработана в соответствии со следующими нормативно-правовыми документами:

• Федеральный закон № 273-ФЗ от 29.12.2012 года «Об образовании Российской Федерации».
• Конвенция о правах ребенка.
• Приказ Министерства просвещения РФ от 09 ноября 2018 г. №196 «Об утверждении Порядка организации и осуществления образовательной деятельности по дополнительным общеобразовательным программам».
• Концепция развития дополнительного образования и молодежной политики в Ханты-Мансийском автономном округе – Югре.
• Методические рекомендации по проектированию дополнительных общеобразовательных общеразвивающих программ (Минобрнауки РФ ФГАУ «ФИРО» г. Москва, 2015 г.).
• Постановление от 28.09.2020г. №28 «Об утверждении СанПиН 2.4.3648-20 (Санитарно-эпидемиологические требования к устройству, содержанию и организации режима работы образовательных организаций дополнительного образования детей).
• Целевая модель развития региональных систем дополнительного образования, утверждённая приказом Министерства просвещения РФ от 03.09.2019г. №467.
• Типовая модель «Социос» (Москва. 2020) в рамках нацпроекта «Образование» (Федеральный проект «Успех каждого ребёнка»).

Дополнительная общеобразовательная общеразвивающая программа разработана для учащихся 7-17 лет. Данная программа реализуется в течение 1 года, 4 ч в неделю, всего 148 часов. Программа направлена на формирование специальных знаний, умений, навыков расчёта и проектирования электронных устройств, компетенций в сфере современных высокоэффективных электронных систем, знакомство с конструктивно- технологическими основами микроэлектроники, изучение основ построения и функционирования базовых ячеек аналоговых и цифровых интегральных схем, особенностей работы полупроводниковых приборов и перспективных направлений развития электроники, получение навыков работы с программным обеспечением; формирование компетенций позволяющих эффективно решать задачи, связанные с функционированием элементной базы радиоэлектронной аппаратуры, навыков индивидуальной и командной работы, необходимые для профессионального и личностного развития.

По окончании реализации программы, обучающиеся овладеют знаниями и умениями, необходимыми для участия в компетенции «Электроника» чемпионатов «Молодые профессионалы» World Skills и Junior Skills.

Направленность дополнительной общеобразовательной программы – техническая.

Новизна и педагогическая целесообразность программы заключается в том, состоит в том, что в процессе ее реализации, обучающиеся овладевают основами общетехнических знаний, приобретают желание дальнейшего совершенствования технических навыков. В рамках данной Программы обучающимся предлагается самостоятельно решать различные практические задачи. При этом развивается творческий интерес учащихся ко всему, что окружает человека в его повседневной жизни: к окружающей среде, к людям, что очень важно в становлении личности обучающегося. По окончании реализации программы, обучающиеся овладеют знаниями и умениями, необходимыми для участия в компетенции «Электроника» чемпионатов «Молодые профессионалы» World Skills и Junior Skills.

Основные принципы реализации программы: научность, доступность, добровольность, субъективность, деятельностный и личностный подходы, результативность, партнерство, творчество и успех.

Актуальность программы: программа направлена на формирование у обучающихся устойчивого интереса к научно- техническому творчеству, на получение и применение новых знаний для решения технологических, инженерных, творческих, исследовательских и прикладных задач. Программа предусматривает расширение технического кругозора, приобретение умений и навыков в области цифровой электроники.

На занятиях обучающиеся изучают основы радиотехники и электроники; основы конструирования, схемотехники и монтажа радиоаппаратуры; работы электроизмерительных приборов; методику испытания и настройки радиотехнических устройств.

Обучение в рамках реализации программы:

• способствует повышению интереса, развитию мотивации в научно-исследовательской деятельности и технической работе обучающихся;
• направлено на получение знаний в области цифровой электроники;
• знакомит с научными методами: наблюдение, конструирование, моделирование и программирование;
• способствует повышению активности обучающихся, развивает логического мышление и способность анализировать окружающие их явления;
• способствует        активному   приобретению        умений        и        навыков        исследовательского характера, развитию творческих способностей и технического мышления.

Направленность дополнительной общеобразовательной программы – техническая.

Вид образовательной деятельности – исследовательская, проектно – конструкторская деятельность, разработка алгоритмов и программ.

Уровень освоения программы: базовый.

Отличительные особенности программы заключаются в следующем:

1. Образовательная программа дополняет содержание учебных программ старшей школы, значительно расширяя его в направлениях, связанных с цифровой электроникой. Приобретаемые учащимися компетентности – моделирование, конструирование, программирование.
2. Разработка программных продуктов осуществляется командой, что требует приобретения компетентностей в областях – групповой работы, коммуникации, подготовки и принятия решений.
3. Процесс разработки программных продуктов занимает достаточно продолжительное время. Это приводит к тому, что участники образовательной программы должны овладеть планированием. Для того чтобы суметь ликвидировать обнаруженные пробелы в своих знаниях учащимся необходимо повысить свою компетентность в области эффективного

учения.

4. Программные продукты востребованы реальными заказчиками, что ставит команды разработчиков перед необходимостью вести коммуникацию с заказчиками, прояснять, соотносить, согласовывать точки зрения, вести переговоры.

За счет приведенных выше особенностей образовательная программа обеспечивает возможность реального самоопределения старшеклассникам.

Содержание программы реализуется во взаимосвязи с предметами общеобразовательного цикла и специальными дисциплинами.

Адресат программы: на программу принимаются учащиеся 7-17 лет, независимо от пола. Группа состоит из 8-10 человек.

Срок освоения программы, объем программы. Данная программа реализуется в течение 1 года, 1 модуль-148 часов, 4 часа в неделю.

Режим занятий: 2 раза в неделю по 2 часа, по 40 минут, между занятиями 10 минут перерыв.

Формы обучения лекция, комбинированное занятие, практикум, практическая работа, наблюдение, эксперимент, моделирование, коллективные и индивидуальные исследования, самостоятельная работа, защита исследовательских работ, консультации.

Цель: обучение основам знаний по цифровой электронике и навыкам самостоятельного изготовления радиолюбительских устройств через развитие творческой, креативной личности обучающегося и ранней профориентации.

Задачи:

Образовательные:

• познакомить обучающихся с принципом работы основных полупроводниковых приборов, их характеристиками и параметрами;
• познакомить        обучающихся        с        основными        схемными        решениями        устройств информационной электроники;
• формировать        навыки        практической        работы        по        конструированию        различных электронных устройств;
• научить принимать и обосновывать технические решения при последующем конструировании и эксплуатации устройств информационной электроники.

Развивающие:

формировать:

• устойчивый интерес к научно-техническому творчеству, компетенций, необходимые для решения технологических, инженерных, творческих, исследовательских и прикладных задач;
• целостное представление о науке и технике как способе рационально-практического освоения окружающего мира;
• способность к решению творческих, нестандартных задач;
• мотивацию к интеллектуальному развитию и научно-техническому творчеству.

развивать:

• образное, алгоритмическое и логическое мышление и творческое воображение подростка;
• политехнический кругозор обучающихся;
• коммуникативные способности учащихся, умение работать в группе, аргументировано представлять результаты своей деятельности, отстаивать собственную точку зрения;
• навыки проектной, конструкторской и учебно-исследовательской деятельности.

Воспитательные:

• вовлечь учащихся в проектную и учебно-исследовательскую деятельность;
• вовлечь подростков в систему научно-технического творчества;
• способствовать личностному и профессиональному самоопределению подростка.

Планируемые результаты:

К концу освоения модуля дети овладевают знаниями и элементарными  представлениями:

• основные физические законы и явления, на которых базируется дисциплина;
• современные тенденции развития электротехники, компьютерной электронике, методы анализа современной научной картины мира;
• основные законы электротехники и электроники;
• математическую модель идеализированного p-n- перехода и влияние на ВАХ ширины запрещённой зоны, температуры и концентрации примесей;
• электрические модели и основные математические соотношения, Т-образные эквивалентные схемы биполярного транзистора для схем с ОБ и ОЭ и П-образную схему для полевого транзистора;
• связь основных параметров биполярного транзистора в схемах ОБ и ОЭ;
• преимущества интегральных схем;
• микроэлектронику и принцип работы базовых каскадов аналоговых и базовых ячеек цифровых схем, методы измерения электрических, магнитных и неэлектрических величин, методы расчета цепей постоянного и переменного тока;
• классификацию электронных приборов;
• основы электроники и электрических измерений, элементной базы современных электронных устройств;
• основы теории измерений электромагнитных и электромеханических величин;

• основные принципы действия, свойства, области применения и потенциальные возможности основных электротехнических устройств и электроизмерительных приборов;
• состояние и развития микроэлектроники;
• различные классы приборов микроэлектроники;
• номенклатуру серийно выпускаемых микросхем;
• основные направления и перспективы функциональной электроники.

К концу освоения модуля дети погружаются в практики и:

научатся:

• применять современные методы анализа и синтеза линейных и нелинейных электронных цепей;

-пользоваться        теоретическими        основами,        основными        понятиями,        законами        и математическими моделями;

• приобретать новые знания с использованием образовательных и информационных технологий;
• объяснять принцип действия различных электромагнитных устройств, приборов и электрических машин;
• пользоваться электроизмерительными и радиоизмерительными приборами;
• производить измерения параметров сигналов в электронных схемах;
• оценивать основные метрологические характеристики средств измерений;
• выделять конкретное физическое содержание в прикладных задачах будущей деятельности, проводить расчеты задач электротехнических цепей;
• применять информационные технологии в профессиональной деятельности;
• учитывать современные тенденции развития электроники;
• использовать современные вычислительные и программные средства для расчёта и анализа работы электротехнических элементов и устройств;
• определять дифференциальные параметры по статическим характеристикам;
• производить пересчет значений параметров из одной схемы включения биполярного транзистора в другую;
• объяснять физическое назначение элементов и влияние их параметров на электрические параметры и частотные свойства каскадов аналоговых схем и переходные процессы в цифровых схемах;

• пользоваться справочными эксплуатационными параметрами приборов;
• физические принципы работы, характеристики и параметры основных типов интегральных микросхем;
• физические и математические модели процессов и явлений, лежащих в основе принципов действия микроэлектронных устройств;
• основные эксплуатационные характеристики и свойства пассивных элементов микросхем;

овладеют:

• навыками        аналитического,        численного        и        экспериментального        исследования электронных цепей и процессов;

-планированием эксперимента, анализом и обработкой экспериментальных данных,

-навыками структурирования естественно- научной информации;

• физическими и математическими методами обработки и анализа информации;
• навыками работы со справочной и технической литературой;
• владеет рациональными навыками целостного охвата научной картины мира на основе знания основных положений, законов естественных наук и математики;
• основными методами и приемами использования измерительной техники при выполнении исследовательской работы и практических профессиональных заданий;
• физико-математическим аппаратом для решения электротехнических задач;
• навыками расчёты параметров электрических цепей;
• основными приёмами работы на компьютерах с прикладным программным обеспечением по электротехнике;
• навыками обработки экспериментальных данных и сопоставления результатов численных расчетов и экспериментальных исследований в виртуальной лаборатории;
• способностью делать выводы по результатам исследований и составлять отчеты.
• навыками изображения полупроводниковых структур с использованием зонных энергетических диаграмм;
• навыками работы с типовыми средствами измерений с целью измерения основных параметров и статических характеристик изучаемых структур;

• навыками компьютерного исследования приборов по их электрическим моделям, навыками расчета аналоговых и цифровых схем;
• использования стандартной терминологии, определений, обозначений и единиц физических величин в микроэлектронике;
• организации и проведения измерения электрических параметров и характеристик микросхем;
• расчета и проектирования основных классов приборов;
• выбора интегральных микросхем для применения в электронной аппаратуре.

Ожидаемые результаты и способы определения их результативности:

• увеличение количества обучающихся, вовлеченных в научно-исследовательскую и техническую деятельность;

- опыт участия обучающихся в научно-исследовательской деятельности, которая найдёт реализацию в Сургутском естественно-научном лицее, в научных мероприятиях и проектах различного уровнях, в том числе в компетенции «Электроника» чемпионатов

«Молодые профессионалы».

ХАРАКТЕРИСТИКА ПЕДАГОГИЧЕСКОГО СОСТАВА

Педагог, реализующий дополнительную общеобразовательную общеразвивающую программу:

Волкорез Наталья Сергеевна, педагог дополнительного образования.

Стаж работы – 2 года

Образование – высшее, квалификационная категория- нет.

Учебный план

Календарный учебный график (Приложение)

Учебно-тематический план

Содержание программы Раздел 1. Электроника

Тема 1. Полупроводники. Полупроводниковые диоды.

Теория.

Проводимость полупроводников. Донорно-акцепторные примеси, р-n-переход. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода. Динамический и импульсный режимы работы диодов. Применение диодов.

Тема 2. Биполярные и полевые транзисторы.

Теория.

Структуры биполярных транзисторов n-p-n и p-n-p. Режимы работы и схемы включения биполярных транзисторов. Расчет токов во внешних цепях биполярного транзистора.

Структуры полевых транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом, с металл полупроводниковым затвором. Транзисторы структуры «металл-диэлектрик- полупроводник» со встроенным и индуцированным каналами. Физические процессы в структурах полевых транзисторов.

Тема 3. Электровакуумные и оптоэлектронные приборы.

Теория.

Классификация полупроводниковых оптоэлектронных приборов. Фотоприемники: фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор. Светодиод, лазер. Классификация электровакуумных приборов. Диоды. Триоды. Тетроды. Пентоды. Статические характеристики и дифференциальные параметры электронных ламп.

Тема 4. Электрические измерения. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.

Теория.

Виды измерений и типы измерительных приборов. Использование компьютера для обработки и индикации измеряемых величин. Баланс амплитуды и баланс фаз. Автогенераторы гармонических колебаний. Источники вторичного электропитания. Триггеры.

Практика.

Логические микросхемы. Цифровые фильтры. Ключевой режим работы БТ. Генераторы сигналов специальных форм. Индикаторные устройства. Виды устройств индикации и принцип организации схем управления.

Тема 5. Автоматизация проектирования электронных схем и перспективы развития электроники.

Теория.

Проблемы повышения степени интеграции микросхем. Математические модели электронных элементов и устройств. Программные средства моделирования. Применение базовых матричных кристаллов и программируемых логических матриц.

Перечень лабораторных работ и практических (семинарских) занятий

Раздел 2. Микроэлектроника

Тема        1.        Конструктивно-технологические        основы        микроэлектроники.        Основы схемотехники цифровых интегральных схем.

Основные        понятия        микроэлектроники.        Гибридные        интегральные        схемы.        Пленочные

резисторы, конденсаторы, индуктивности. Тонкопленочные и толстопленочные схемы. Полупроводниковые интегральные схемы. Способы изоляции интегральных элементов. Биполярные транзисторы полупроводниковых схем и их разновидности. МДП-транзисторы полупроводниковых интегральных схем. Базовые технологические операции, используемые при создании интегральных схем. Электронные ключи на биполярных и МДП-транзисторах. Основные параметры цифровых интегральных схем. Диодно-транзисторная и транзисторно- транзисторная логики. Эмиттерно-связанная логика. Триггеры. Микропроцессоры. Элементы полупроводниковых интегральных микросхем. Комбинационные логические элементы. Запоминающие устройства, коммутаторы.

Тема 2. Твердотельная электроника. Гетероструктуры в современной микроэлектронике.

Приборы твердотельной микроэлектроники на основе инверсионного поверхностного канала. Гетерограница и её свойства. Приборы твердотельной микроэлектроники на основе эффекта Джозефсона. Приборы твердотельной оптоэлектроники на основе внутреннего фотоэффекта в полупроводниках и в электрических переходах (фотосопротивление, фотодиод). Элементы электрической развязки (оптопары). Гетеропереходные биполярные и полевые транзисторы: физические принципы работы и варианты конструкции. Основные направления функциональной микроэлектроники. Обзор физических явлений и процессов функциональной микроэлектроники.

Тема 3. Наноэлектроника. Акустоэлектроника. Магнитоэлектроника.

Принципы взаимного преобразования акустических и электрических сигналов. Пьезоэлектрические преобразователи. Приборы на поверхностных акустических и магнитостатических волнах. Магнитоэлектронные запоминающие устройства и носители информации. Магнитные полупроводники и устройства на их основе. Криоэлектроника. Особенности физических процессов в полупроводниках при низких температурах. Логические элементы на сверхпроводниках. Молекулярная электроника и биоэлектроника. Электронные процессы в сложных органических молекулах.

Тема 4. Методы диагностики и анализа микро- и наноструктур

Этапы развития методов исследования структуры и свойств микро- и наноматериалов. Основы сканирующей туннельной микроскопии. Формирование и обработка СЗМ-изображений поверхности. Основы атомно-силовой микроскопии. Контактный АСМ-метод исследования поверхности. Основы магнитосиловой микроскопии. Основы растровой электронной микроскопии. Методы рентгеноструктурного анализа.

Тема 5. Программирование микроконтроллеров

Введение в микроконтроллеры. Программирование микроконтроллеров для начинающих. Семейства микроконтроллеров. Языки программирования. Микроконтроллеры PIC.

Системы счисления: десятичная, двоичная и шестнадцатиричная. Логические операции, логические выражения, логические элементы. Битовые операции. Прямой, обратный и дополнительный коды двоичного числа. USBASP программатор для микроконтроллеров AVR

• идеальное решение для начинающих, и не только. Программа AVRDUDE_PROG: программирование микроконтроллеров AVR ATmega и ATtiny. Программирование микроконтроллеров Arduino. Проекты по электронике на базе контроллеров Arduino.

Перечень лабораторных работ и практических (семинарских) занятий

Тема 6. Итоговая аттестация

Консультации по подготовке к зачету. Зачет

Тема 7. Защита проекта (4 часа).

Подготовка к защите

Календарный учебный график

Условия реализации программы.

Методическое обеспечение:

Применяются педагогические методики: проблемное обучение, приемы организации образовательной деятельности: конструирование, эксперимент, исследование.

Педагогические технологии: игровые технологии, технология творческой деятельности, технология исследовательской деятельности, метод проектов и др.).

Материально-техническое обеспечение программы

Учебные занятия по дисциплине предусматривают лекционные, практические и лабораторные формы организации учебного процесса, сдачу зачета и защиту проектной работы. Лекционные и лабораторные занятия проходят в классе, оборудованном проекционными средствами для использования демонстрационных материалов и презентаций. При проведении практических занятий используются демонстрационные объекты (электротехнические элементы, сборочные единицы).

Наборы конструкторов. Набор пособий для организации работы по программе, технические описания приборов, тематические таблицы по электротехнике и электронике, комплект заданий для проведения исследовательских работ, аудиторная доска с набором приспособлений для крепления таблиц, столы ученические, стол демонстрационный. Лаборатория электроники. Лаборатория оснащена: универсальный измерительный стенд, генератор импульсов, осциллограф. При проведении практических занятий используются демонстрационные объекты (электротехнические элементы, сборочные единицы).

Система контроля результативности программы.

Методы контроля: консультации, доклад, защита проектов, выступление, презентация, демонстрация, мини-конференция, научно-исследовательская конференция, участие в чемпионате «Молодые профессионалы» World Skills.

Формы аттестации:

1. Текущий контроль, осуществляющийся на каждом занятии: визуальный контроль.
2. Промежуточная аттестация проводится в конце первого полугодия, в форме конкурса/конференции.
3. Итоговая аттестация проводится в конце года. Для успешной аттестации обучающемуся необходимо посетить все занятия, прослушать лекционный курс, на практических занятиях выполнить все лабораторные и практические работы, успешно защитить практическую работу на последнем занятии (Приложение 1). Формой итоговой аттестации является зачет (Приложение 1) и защита проекта (Приложение 2).

Сроки и формы проведения промежуточной и итоговой аттестации определяются согласно Положения о формах, периодичности, порядке текущего контроля и промежуточной (итоговой) аттестации, обучающихся по дополнительным общеобразовательным (общеразвивающим) программам МБОУ Сургутского естественно- научного лицея.

Критерии оценивания итоговой работы (проекта):

Критерии оценивания зачёта

Методическое обеспечение программы Список литературы

Методические рекомендации и пособия

1. В.        А.        Кузовкин        Электротехника        [Текст]:        основы        теории        с        практическими приложениями: уч. пособие. М.: Логос, 2004. - 190 с.: ил.
2. Б.        Р.        Мандель        Самостоятельная        работа        студентов:        долгий        путь        к        научному исследованию Москва: Вузовский учебник, 2015. - 25 с.

Интернет ресурсы:

1. Электронная библиотечная система Znanium.com. Режим доступа: http://znanium.com
2. Издательство «Лань». Режим доступа: http://e.lanbook.com
3. Электронно-библиотечная система "BOOK.ru"
4. Электронная библиотечная система IPRbooks http://www.iprbookshop.ru/
5. Научная библиотека СурГУ (www.lib.surgu.ru)
6. Российская государственная библиотека (www.rsl.ru)
7. Мировая цифровая библиотека (www.wdl.org/ru/)
8. Справочник (школа) электрика http://electricalschool.info/
9. Справочники книг электротехника http://www.toroid.ru/sprav.html
10. Единое окно доступа
11. Материалы для оценивания навыков:

Расчетно-графические и практические задания, с помощью которых проверяется формирование компетенций на дидактическом уровне «применение» (отрабатываются при выполнении лабораторных работ):

1. Построение графической зависимости диэлектрической проницаемости ε сегнетоэлектрика от температуры ε = f(t).
2. Оценка допустимого интервала рабочих температур вариконда.
3. Построение графической зависимости диэлектрической проницаемости ε от внешнего поля.
4. Оценка коэффициента нелинейности и допустимой величины напряженности поля.
5. Получение петли гистерезиса и расчет параметров сегнетоэлектрического элемента памяти.
6. Построение градуировочной кривой и оценка в интервале температур параметров термоэлектрического преобразователя (коэффициент нелинейности, удельная термоэдс). 5. Построение вольтамперной характеристики диода
7. Оценка характеристических дифференциальных сопротивлений прибора.
8. Построение температурной зависимости сопротивления и определение ТКС полупроводникового терморезистора.
9. Построение зонной диаграммы полупроводника по результатам исследования взаимодействия фотопреобразователя с излучением заданного спектрального состава.
10. Определение типа фотокатода, расчет порога фотоэлектронной эмиссии и длины волны излучения, оптимального для возбуждения в данном веществе явления фотопроводимости.

Вопросы к зачёту:

1. Проводимость полупроводников. Структура полупроводникового диода. Донорно- акцепторные примеси р-n-переход.
2. Вольтамперная характеристика реального –p-n-перехода (полупроводникового диода). Схемы и режимы работы диодов.
3. Биполярные транзисторы. Структуры биполярных транзисторов n-p-n и p-n-p.
4. Режимы работы и схемы включения биполярных транзисторов. Расчет токов во внешних цепях биполярного транзистора. Нелинейные модели биполярных транзисторов.
5. Полевые транзисторы. Структуры полевых транзисторов. Полевые транзисторы с p-n- переходом, с металл полупроводниковым затвором.
6. Структура, принцип работы и вольтамперная характеристика диодного тиристора. Триодный тиристор. Однопереходный транзистор.
7. Расчет усилительного каскада на транзисторе, по схеме эмиттера.        Малосигнальные параметры и эквивалентные схемы транзистора.
8. Динамический и импульсный режимы работы биполярных транзисторов. Основы применения полевых транзисторов в аналоговых и цифровых схемах.
9. Полевые        транзисторы.        Частотные        свойства        полевых        транзисторов.        Модели        и эквивалентные схемы транзисторов.
10. Применение        полевых        транзисторов        для        усиления        электрических        сигналов. Импульсный режим работы полевого транзистора.
11. Конструктивно-технологические основы микроэлектроники.
12. Основные понятия микроэлектроники. Гибридные интегральные схемы.
13. Пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивности.
14. Активные        элементы        гибридных        интегральных        схем.        Тонкопленочные        и толстопленочные схемы.
15. Полупроводниковые интегральные схемы. Особенности больших интегральных схем.
16. Составные транзисторы, генераторы стабильного тока, динамическая нагрузка, схемы сдвига потенциального уровня.
17. Электронные усилители. Усилители переменного сигнала. Усилители мощности.
18. Обратные связи в усилителях. Усилители постоянного тока.
19. Дифференциальный усилительный каскад. Усилительные каскады.
20. Операционные усилители. Аналоговые ключи на полевых транзисторах. Диодные ключи.
21. Операционные усилители – снова элементной базы аналоговых интегральных схем.
22. Инвертирующий и неинвертирующий усилители. Интегратор и дифференциатор. Активные фильтры. Компараторы.
23. Основы схемотехники цифровых интегральных схем. Параметры интегральных схем.
24. Электронные ключи на биполярных и МДП-транзисторах. Статическая передаточная характеристика транзисторного ключа.
25. Основные        параметры        цифровых        интегральных        схем.        Диодно-транзисторная        и транзисторно-транзисторная логики.
26. Эмиттерно-связанная логика. Интегральная инжекционная логика.
27. Логические элементы на МДП-транзисторах. Триггеры.
28. Микропроцессоры и микроЭВМ. Комбинационные логические элементы.
29. Запоминающие устройства. Многоканальные коммутаторы.
30. Оптоэлектронные приборы. Классификация полупроводниковых оптоэлектронных приборов.
31. Фотоприемники: фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор.
32. Источники        излучения:        светодиод,        полупроводниковый        лазер.        Оптопары. Оптоэлектронные интегральные схемы.
33. Индикаторные приборы. Применение оптоэлектронных приборов.
34. Электровакуумные приборы Классификация электровакуумных приборов. Диоды. Триоды. Тетроды. Пентоды.
35. Статические характеристики и дифференциальные параметры электронных ламп.
36. Миниатюризация электровакуумных приборов. Вакуумные интегральные схемы.
37. Электрические измерения. Виды измерений и типы измерительных приборов.
38. Использование компьютера для обработки и индикации измеряемых величин.
39. Вторичные источники питания. Источники эталонного напряжения и тока.
40. Стабилизаторы напряжения. Импульсные источники электропитания.
41. Аналого-цифровые преобразователи. Цифро-аналоговые преобразователи. Ключевой режим работы БТ. Генераторы сигналов специальных форм.
42. Индикаторные устройства. Виды устройств индикации и принцип организации схем управления.
43. Автогенераторы гармонических колебаний. Ключевые устройства. Импульсные источники вторичного электропитания. Типы обратной связи. Баланс амплитуды и баланс фаз.
44. Триггеры. Логические микросхемы. Цифровые фильтры.
45. Автоматизация проектирования электронных схем.
46. Математические модели электронных элементов и устройств.
47. Программные средства моделирования. Перспективы развития электроники.
48. Проблемы повышения степени интеграции микросхем.
49. Функциональная электроника – перспективное направление в микроэлектронике.
50. Применение программируемых логических матриц. Наноэлектроника.

Типовые задания:

Задача. Расчет мультивибратора на операционном усилителе.

Задание. Изобразить схему (рис. 1) и временные диаграммы мультивибратора, объяснить принцип действия, определить сопротивления и емкость конденсатора, оценить длительность фронта выходных импульсов.

Исходные данные. Ниже приведены некоторые параметры рекомендуемого операционного усилителя (ОУ) общего назначения К544УД1А.

Uип = ± 15 В – номинальное напряжение положительного и отрицательного источни- ков питания; Uвых,mах = ± 10 В – максимальное выходное напряжение; UДИФ,mах = ± 10 В – допустимое дифференциальное входное напряжение (между входами ОУ); Uсм,о = 30 мВ – напряжение смещения нуля (напряжение, которое надо подать на вход, чтобы выходное напряжение ОУ стало равным нулю);

Iвх = 15 нА = 0,15 10-9А – входной ток; VU = 3 В/мкc – скорость изменения выходного напряжения; RH,min = 2 кОм – минимальное сопротивление нагрузки; КU = 5∙104 – коэффициент усиления по напряжению (без обратной связи).

Исходные данные для расчёта мультивибратора приведены в табл. 1, где f – частота выходного напряжения; β – коэффициент передачи цепи обратной связи, которые равны:

f = 1/(4 βRC)        (1)

β = R1/(R1+R2).        (2)

Таблица 1

Методические указания (с примером)

Перед методикой расчёта отметим ограничения на величины β, R и С.

Ограничения на величину β. Максимальное напряжение между входами ОУ сразу после скачка выходного напряжения равно 2βUвых,mах. Это напряжение должно быть меньше допустимого дифференциального входного напряжения: (2βUвых,mах) < (UДИФ,mах). В справочниках величина Uвых,mах задана при максимальных нагрузках. При малых нагрузках Uвых,mах возрастает и приближается к напряжению питания UИП. Поэтому максимальная величина βmах равна:

βmaxДля        получения        симметричного        выходного        напряжения                желательно,                чтобы минимальный        уровень        срабатывания        (βminUвых.max)        был        значительно        больше,        чем напряжение смещения нуля Uсм0: (βminUвых.max)≥NU∙Uсм0, где NU – коэффициент запаса по

напряжению. При NU = 30, Uсм0 = 0,03 В и Uвых,тах = 10 В получим βmin≥(30∙0,03)/10=0,09. Таким образом, β выбираем в пределах:

0,09 ≤ β ≤ 0,33.        (4)

Ограничения на значение R. Средний ток резистора R равен Uвых,max/R (т.к. среднее напряжение на конденсаторе равно нулю).

Этот ток должен быть во много раз больше входного тока ОУ, чтобы последний не влиял на частоту: (Uвых. max/R)

≥ NIIвх,

где NI – коэффициент запаса по току. При Uвых,тах = 10 В, Iвх = 0,14∙10-9 А и NI= 100, получим R < 10/(100∙0,14-10-9) = 659∙106 Ом. При таком большом сопротивлении начинают влиять различные наводки и помехи. Чтобы ограничить их влияние, желательно выбирать сопротивление не более 1 мОм (106 Ом). Минимальное значение R должно быть значительно больше сопротивления нагрузки, чтобы не загружать ОУ дополнительным током: R ≥ NR∙RH min, где NR – коэффициент запаса по сопротивлению. При NR = 10 и RH,min

= 2 кОм получим: R ≥ 20 кОм. Итак, сопротивление R выбираем из условия:

20кОм ≤ R ≤ 1 мОм.        (5)

Ограничения на значение ёмкости С. Ёмкость конденсатора должна быть во много раз больше паразитных ёмкостей СПАР, которые обычно на схемах не обозначают, но они всегда присутствуют в реальных схемах. В СПАР входят ёмкости монтажа (подводящих проводов, печатного монтажа, навесных элементов), входные ёмкости ОУ. Если СПАР = 5 пФ (пикофарад) и коэффициент запаса 100, то С ≥ 500 пФ.

В схеме используется конденсатор, работающий на переменном токе. Такие конденсаторы имеют габариты существенно больше, чем полярные (электролитические) конденсаторы, предназначенные для цепей постоянного тока. Поэтому максимальное значение ёмкости ограничивается габаритами и может составлять единицы микрофарад.

Итак: 500 пФ < С < 1÷5 мкФ.        (6)

На высоких частотах увеличиваются потери в конденсаторе, и необходимо увеличивать допустимое напряжение конденсатора по сравнению с напряжением питания мультивибратора; и, чем больше ёмкость, тем в большей степени. Поэтому желательно выбирать меньшие значения ёмкости.

По ГОСТу существуют несколько рядов для номиналов ёмкости. Наиболее распространенный ряд Е6, он содержит 6 значений в каждом десятичном интервале: d = 1; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8. Ёмкость определяется по формуле: C = d∙10n, где n – целое положительное или отрицательное число. Например, если d = 2,2 и п = - 6, то С = 2,2∙10-6 Ф

= 2,2 мкФ.

Для постоянных резисторов наиболее распространён ряд Е24, который содержит 24 значения в каждом десятичном интервале. Существуют ряды Е48, Е96, Е192. Поэтому с выбором сопротивлений не существует проблем с точки зрения дискретного значения.

Решение задачи по заданным параметрам. Пример:        f = 1000 Гц, β = 0,15.

1. Зададимся значением ёмкости С, исходя из ограничения (6) и ряда значений Е6. Желательно выбирать меньшие значения. Выбираем С = 1000 пФ.
2. Определяем значение сопротивления R, используя формулу (1):

R = 1/(4βfC)= 1/(4∙0,15∙1000∙1000∙10-12=   1,667∙106 Ом.

Это больше рекомендуемого значения (5). Поэтому увеличим ёмкость в 10 раз до значения С = 10000 пФ = 0,01 мкФ. Тогда сопротивление уменьшится в 10 раз до значения R = 167 кОм. Итак, С = 0,01 мкФ, R = 167 кОм.

Определяем рассеиваемую мощность на резисторе R:

P ≈ (UВЫХ.MAX)2/R = 102/(167∙103) = 599∙10-6 ВТ

3. При выборе сопротивлений делителя R1R2 используем ограничения (5), где надо заменить R на (R1 + R2). Принимаем (R1 + R2) = 100 кОм. Тогда, согласно формуле (2):

R1 = β∙(R1+R2) = 0,15∙100 кОм = 15 кОм; R2 = (R1+R2)− R1 = 100−15 = 85 кОм.

Определяем рассеиваемую мощность на резисторах R1 и R 2 :

P1 = (UR1)2/R1 = (β∙Uвых.max)2/R1 = (0,15∙10)2/(15∙103) = 150∙10-6 Вт

P2 = (UR2)2/R2 = [(1−β)∙Uвых.max]2/R2 = [(1−0,15)∙10]2/(85∙103) = 850∙10-6 Вт.

где UR1 и UR2 – действующие значения напряжений на резисторах R1 и R2.

4. Оценим длительность фронта tФР выходных прямоугольных импульсов при заданной скорости изменения выходного напряжения VU = 3 В/мкс и полном размахе выходного напряжения, равном: 2Uвых.max = 2∙10 В = 20В; tфр = 20/3 = 6,7 мкс.

Существуют различные типы транзисторов. Наиболее        распространённые        биполярные транзисторы называют просто транзисторами. Термин «биполярный» означает, что в работе этих приборов важную роль играют оба типа носителей: дырки и электроны.

Транзистор имеет три вывода: эмиттер Э, коллектор К и база Б (рис. 1). Транзисторы бывают двух типов: п-р-п и р-п-р (рис. 1, а, б). Они

отличаются полярностью напряжений и направлениями токов. Стрелки у эмиттера показывают направление эмиттерного тока.

Наибольшее распространение получила схема включения транзистора с общим эмиттером (рис. 1), в которой входной сигнал поступает в цепь базы, выходной ток – это ток коллектора, а эмиттер является общим для входной и выходной цепей.

Выходные        характеристики транзистора (рис. 2,б) – это зависимости коллекторного тока IK от напряжения коллектор-эмиттер UКЭ при постоянном токе базы IБ. На крутом (почти вертикальном) участке выходные характеристики сливаются. На пологих участках, где UКЭ > UКЭ.Н. ток коллектора зависит в  основном  от тока базы  и мало

зависит от напряжения UКЭ. Эти участки почти горизонтальны. Характеристики транзисто- ра сильно зависят от температуры. Ток коллектора увеличивается на десятки процентов при увеличении температуры на каждые 20-30 °С, что приводит к смещению выходных характеристик, как показано пунктирной линией для характеристики с током базы (UБ2)' (рис. 2, б).

Входная характеристика транзистора (рис. 2, а) – это зависимость тока базы IБ от напряжения база-эмиттер UБЭ при постоянном напряжении коллектор-эмиттер UКЭ. Входная характеристика подобна характеристике полупроводникового диода, но при UКЭ

> UКЭ.Н смещена вниз на величину IK0. При разрыве в цепи эмиттера (рис. 3) переход коллектор-база представляет собой диод, на который подано обратное напряжение, и через который протекает обратный ток коллекторного перехода IK0.

Токи транзистора связаны между собой соотношениями:

IЭ = IK + IБ        β = ΔIK/ΔIБ        ΔIK = βΔIБ        ΔIЭ = (1+β)ΔIБ

где β – коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером; типичные значения β

≈ 20÷200. Символ Δ означает, что речь идёт о приращениях или переменных составляющих. Коэффициент β зависит от температуры, тока коллектора и имеет большой разброс от экземпляра к экземпляру. На высоких частотах β уменьшается из-за инерционности процессов в транзисторе.

Коэффициент передачи тока β можно определить по выходным характеристикам. Например, при увеличении тока базы от IБ1 до IБ2 (рис. 2, б) ток коллектора увеличится от IK1 до IK2. Значит:

β = ΔIK/ΔIБ = (IK2−IK1)/(IБ2−IБ1).

Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода rк определяется выражением: rк = ΔUКЭ/ΔIK. Эти приращения показаны на рис. 2, б для характеристики с током базы IБ3. Чем ниже расположена характеристика, тем меньше её наклон и тем больше rк. При расчётах в большинстве случаев величиной rк пренебрегают, т.е. считают, что rк очень большое.

Это означает, что выходные характеристики горизонтальны, а со стороны коллектора транзистор представляет собой идеальный источник тока с бесконечно большим внутренним сопротивлением.

Входное сопротивление транзистора (сопротивление база-эмиттер) можно определить по входным характеристикам: rВХ.ТР = rБЭ = ΔUБЭ/ΔIБ (рис. 2, а). величина rБЭ зависит от угла наклона входных характеристик: чем меньше ток базы, тем больше входное сопротивление. При коллекторном токе меньше нескольких миллиампер можно пользоваться упрощённой формулой: rБЭ = βφТ/IK, где φТ − температурный потенциал, равный при комнатной температуре 25 мВ.

Например, при β =100 и IK = 1 мА получим rБЭ = (100∙25∙10-3)/10-3 = 2500 Ом. Транзистор, имеющий два входных и два выходных зажима, можно рассматривать как активный четырёхполюсник, h-параметры которого связаны с физическими параметрами транзистора следующим образом: коэффициент передачи по току h21 = β, входное сопротивление h11 = rБЭ, выходная проводимость h22 = 1/rK.

Типовые задания для итоговой аттестации

Задание по электронике №1 «Терменвокс».

Оборудование:        Ардуино,        соединительный        кабель,        макетная        плата,        резисторы, фоторезистор, динамик, соединительные провода.

Задача: Построить устройство, которое воспроизводит звук с частотой, меняющейся в зависимости от освещения.

Терменвокс - электромузыкальный инструмент, созданный в 1919 году русским изобретателем Львом Сергеевичем Терменом в Петрограде. Мы услышим звук, высота которого будет меняться в зависимости от меняющегося освещения. Освещенность будет измеряться с помощью резистивного датчика – фоторезистора, а звук будет генерироваться – пьезоэлементом.

Соберите схему по графической модели и запустите программу.

1. Подключите элементы к контактам (пинам).
2. Функция tone() генерирует на порту вход/выхода сигнал — прямоугольную "волну", заданной частоты и с 50% рабочим циклом. Длительность может быть задана параметром, сигнал генерируется пока не будет вызвана функция notone().
3. К порту вход/выхода может быть подключен пьезоэлемент (динамик) для воспроизведения сигнала.
4. Подключите микроконтроллер к компьютеру и загрузите программу arduino, проверьте порядок выполнения программы и работу устройства:

int sensorPin = A0; // Аналоговый вход для сигнала фоторезистора LDR int sensorValue = 0; // Значение сигнала от датчика (от 0 до 1023)

int BUZZER_PIN = 3; // Пин подключения пищалки int val, frequency;

void setup()

{

pinMode(BUZZER_PIN, OUTPUT);

pinMode(sensorPin, INPUT);

}

void loop()

{

// считываем уровень освещённости в виде значения от 0 до 1023. sensorValue = analogRead(sensorPin);

// рассчитываем частоту звучания пищалки в герцах (ноту),

// используя функцию map() Она отображает

// значение из диапазона [0; 1023] в диапазон частот звука [3500; 4500].

// Так мы получим частоту от 3,5 до 4,5 кГц. frequency = map(sensorValue, 0, 1023, 3500, 4500);

// заставляем пин с пищалкой «вибрировать», т.е. звучать

// (англ. tone) на заданной частоте 20 миллисекунд. При

// следующих проходах loop, tone будет вызван снова и снова,

// и мы услышим непрерывный звук, тональность которого

// зависит от количества света, попадающего на фоторезистор tone(BUZZER_PIN, frequency, 20); }

Задание по электронике № 2. «Бегущие огни».

Оборудование:        Ардуино,        соединительный        кабель,        макетная        плата,        резисторы, светодиоды, соединительные провода.

Задача:

Выполните сборку схемы, представленную на рисунке.

При подключении элементов LED1, LED2, LED3, LED4 необходимо выбрать порты Arduino Nano, не используемых в работе устройства «Автомат управления нагрузкой». Обратите внимание на подключение элемента LED1 к контроллеру.

Напишите программу (самостоятельно) для контроллера Arduino Nano, позволяющую поочередно включать элементы LED1 – LED4 с интервалом 1секунду. После включения всех элементов (через 1 секунду) элементы LED1 – LED4 должны поочередно выключаться с интервалом 2 секунды.

Данная        программа        должна        выполняться        циклично        до        отключения        устройства        от источников питания.

Задание по электронике № 3. «Светофор»

Оборудование:        Ардуино,        соединительный        кабель,        макетная        плата,        резисторы, светодиоды, соединительные провода.

Задача:

Выполните сборку схемы, представленную на рисунке ниже. При подключении элементов LED1, LED2, LED3, LED4 необходимо выбрать порты Arduino Nano, не используемых в работе устройства «Автомат управления нагрузкой». Обратите внимание на подключение элемента LED1 к контроллеру. В качестве элемента LED1 необходимо использовать красный светодиод; LED2 – желтый светодиод; LED3 и LED4 – зеленые светодиоды.

Напишите программу (самостоятельно) для контроллера Arduino Nano, позволяющую включать и выключать светодиоды, имитируя работу светофоров.

Переименуйте порты, управляющие элементами LED1 – LED4:

• LED1 – «RED1»;
• LED2 – «YELLOW1»;
• LED3 – «GREEN1»;
• LED4 – «GREEN2».

После запуска программы элемент LED1 и LED4 должны включиться, остальные элементы должны быть выключены. Такое состояние должно быть в течение 5 секунд. По истечении 5 секунд должен включиться элемент LED2 и удерживаться в таком состоянии 3 секунды. Остальные элементы при этом должны быть выключены. После выполнения этих команд должен включиться элемент LED3, остальные элементы должны быть выключены. Такое состояние должно быть удержано в течение 7 секунд. Данная программа должна выполняться циклично до отключения устройства от источников питания.

Типовые тестовые задания (для текущего и промежуточного контроля):

Допишите пропущенное слово или словосочетание:

1. ………..- наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и методах создания электронных приборов и устройств для преобразования электромагнитной энергии для приёма, передачи, обработки и хранения информации.

Выберите правильный ответ:

2. Триггером называют устройство:

А) с двумя устойчивыми состояниями Б) с одним устойчивым состоянием В) с тремя устойчивыми состояниями Г) без устойчивых состояний

3. Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для цепей… А) усиления напряжения

Б) выпрямления переменного напряжения В) стабилизации напряжения

Г) регулирования напряжения

4. Тиристор используется в цепях переменного тока для … А) усиления тока

Б) усиления напряжения

В) регулирования выпрямленного напряжения Г) изменения фазы напряжения

5. Выходы триггера имеют название:

А) инвертирующий и неинвертирующий Б) положительный и отрицательный

В) прямой и обратный Г) прямой и инвертный

6. Положительная обратная связь используется в… А) выпрямителях

Б) генераторах В) усилителях

Г) стабилизаторах

7. Напряжение между входами операционного усилителя А) равно 0

Б) равно Uпит В) больше 0 Г) Равно Uо.с.

8. Коэффициент усиления инвертирующего операционного усилителя с обратной связью: А) К=Roc/Rвх

Б) К=(Rвх+Roc)/ Roc В) К=Rвх/Roc

Г) К= Rвх/(Rвх+Roc)

9. Отрицательная обратная связь в усилителях используется с целью…

А) повышения стабильности усилителя Б) повышения коэффициента усилителя В) повышения размеров усилителя

Г) снижения напряжения питания

10. Основная характеристика резистора:

А) индуктивность L Б) сопротивление R В) ёмкость С

Г) индукция В

11. Полупроводниковый диод имеет структуру… А) p-n-p

Б) n-p-n В) p-n

Г) p-n-p-n

12. Электроды полупроводникового диода имеют название: А) катод, управляющий электрод

Б) база, эмиттер В) катод, анод Г) база 1, база 2

13. Электроды полупроводникового транзистора имеют название: А) коллектор, база, эмиттер

Б) анод, катод, управляющий электрод В) сток, исток, затвор

Г) анод, сетка, катод

14. Коэффициент усиления по напряжению эмиттерного повторителя: А) КU=∞

Б) КU=0 В) КU1 Г) КU

15. Триггер имеет количество выходов: А) 2

Б) 1

В) 3

Г) 4

16. Операционный усилитель имеет: А) два выхода и два входа

Б) один вход и два выхода В) два входа и один выход

Г) один вход и два выхода

17. Логические интегральные микросхемы используют для построения: А) цифровых устройств

Б) усилителей напряжений В) выпрямителей

Г) генераторов

18. Блокинг-генератор – это устройство для формирования: А) постоянного напряжения

Б) синусоидального напряжения

В) линейно-изменяющегося напряжения Г) коротких импульсов

19. В полупроводниках p-n переход образуется при контакте: А) металл-металл

Б) полупроводник-полупроводник В) металл-полупроводник

Г) металл-диэлектрик

20. При работе транзистора в ключевом режиме ток коллектора равен нулю: А) режим насыщения

Б) режим отсечки

В) в активном режиме Г) режим А

21. На выходе транзисторного мультивибратора формируются: А) прямоугольные импульсы

Б) синусоидальное напряжение В) треугольные импульсы

Г) выпрямленное напряжение

22. Основная характеристика дросселя:

А) индуктивность L Б) сопротивление R В) электроёмкость С Г) частота f

23. Релаксационным называют генератор … А) экспоненциальных импульсов

Б) синусоидального напряжения В) постоянного напряжения

Г) линейно изменяющегося напряжения

24. Амплитудно-частотной характеристикой усилителя называют зависимость…

А) выходной мощности от частоты входного сигнала

Б) входного сопротивления от частоты входного сигнала В) выходного сопротивления от частоты входного сигнала Г) коэффициента усиления от частоты входного сигнала

25. Основная характеристика конденсатора:

А) Емкость С

Б) Индуктивность L В) Сопротивление R Г) ЭДС E

26. Полупроводники по проводимости находятся ... А) наполовину выше диэлектриков

Б) наполовину выше проводников

В) между диэлектриком и проводником Г) наполовину ниже диэлектриков

27. К недостаткам полупроводниковых приборов относится… А) ограниченный температурный режим

Б) работа не с основными носителями В) необходимость низкого напряжения Г) необходимость вакуума

28. К полупроводникам р-типа относится ...

А) кристалл обладающий избытком концентрации электронов Б) полупроводник с избытком концентрации дырок

В) рекомбинированный переход

Г) кристаллическая решетка с избытком электронов

29. Недостаток полевых транзисторов заключается в . . . А) изоляции затвора

Б) низком быстродействии В) отсутствии эмиттера

Г) отсутствии базы

30. Какой из диодов изготавливают из материалов с высокой концентрацией примесей? А) Фотодиод

Б) Светодиод

В) Туннельный диод Г) Варикап

31. Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов является .. А) способность работать в мостиковой схеме

Б) максимальная температура перехода

В) площадь радиатора и рабочая температура

Г) максимально допустимое обратное напряжение и прямой ток

32. Какой вид тока на выходе диода, если он включен в цепь переменного тока? А) переменный непрерывный

Б) переменный пульсирующий В) постоянный

Г) синусоидальный

33. Какую структуру имеет тиристор? А) p-n-p-n

Б) n-p-n

В) n-n-p-p

Г) p-p-n-n

34. Какой режим работы транзистора в логических схемах? А) Ключевой

Б) Усилительный В) Плавный

Г) Никакой

35. Сколько выводов имеет транзистор? А) Три

Б) Один В) Два

Г) Четыре

36. Какую функцию выполняет стабилитрон в источниках питания? А) Стабилизация

Б) Сглаживание В) Выпрямление Г) Понижение

37. Какой прибор обозначен?

А) МДП транзистор с индуцированным n-каналом Б) Фотодиод

В) Фотоэлемент Г) Светодиод

38. Какой фотоприбор состоит из химически чистого полупроводника? А) Фоторезистор

Б) Фотоэлемент В) Фотодиод

Г) Фотоэлектронный умножитель

39. Какой слой в биполярном транзисторе имеет наименьшую толщину?

А) Эмиттер Б) База

В) Коллектор

Г) Все слои одинаковы

40. Область в полевом транзисторе, через которую проходит поток основных носителей заряда, т.е. выходной ток, называется…

А) истоком Б) каналом В) стоком

Г) коллектором

Приложение 2.

Темы проектов на контроллере Arduino:

1. Часы на Arduino с использованием стандартного индикатора
2. Светодиодные часы на Ардуино
3. Будильник с обратным отсчетом на Arduino с дисплеем Nokia 5110
4. Динамическая подсветка для телевизора
5. RGB светодиодная подсветка для пианино
6. Управление светодиодной лентой с помощью ТВ-пульта и Ардуино
7. Светодиодный диско-пол на Arduino
8. Тетрис на базе Arduino и двухцветных светодиодных матриц
9. Спортивный счётчик на Arduino
10. Управление камерой, приборами и данные с датчиков на экране телевизора
11. Кодовый замок из ардуино
12. Автоматический контроллер температуры и влажности на базе Arduino
13. Сигнализатор замерзших труб на Arduino
14. Простейший звонок с двумя мелодиями
15. Аудио спектроанализатор на RGB-ленте WS2812
16. Анализатор спектра звука
17. Светодиодный LED куб
18. Голографические часы на Arduino
19. Светодиодная матрица 24x6
20. Управление новогодней RGB-гирляндой
21. Голосовое управление радиорозетками UNIEL
22. Контроллер день-ночь на базе Arduino
23. Управление RGB-лентой со смартфона и Arduino;
24. Пульт управления на базе Arduino и смартфона;
25. Система распознавания лиц;
26. Ардуино в музыке;
27. BEAM-робот на Ардуино;
28. Робот fijibot с функцией самоподзарядки;
29. 3D-сканер;
30. Цифровой вольтметр.