КТП по электронной техники по специальности "Автоматизация технологических процессов и производств".
календарно-тематическое планирование на тему

Преподаватель:

Учебная дисциплина:

Коды формируемых компетенций:

Специальность:

___________Короткова Елена_Николаевна____

(Ф.И.О.)

__________Электронная техника__________

(индекс, наименование)

_______ПК.2.1, ПК 2.2, П.К.2.3. ОК 1 – ОК 10._________

                220701 «Автоматизация технологических процессов и производств»_  

(код, наименование)

УТВЕРЖДАЮ

Заместитель директора
по учебно-воспитательной работе

________/_И.А. Горбачёв__/

«___»___________20___г.

УТВЕРЖДАЮ

Заместитель директора
по учебно-воспитательной работе

________/__ И.А. Горбачёв___/

«___»___________20___г.

УТВЕРЖДАЮ

Заместитель директора
по учебно-воспитательной работе

________/__ И.А. Горбачёв___/

«___»___________20___г.

УТВЕРЖДАЮ

Заместитель директора
по учебно-воспитательной работе

________/_ И.А. Горбачёв___/

«___»___________20___г.

Преподаватель:

Учебная дисциплина:

Специальность:

Группа:

_____Короткова_Елена Николаевна______

(Ф.И.О.)

______________Электронная техника________

(наименование учебной дисциплины)

___220701 «Автоматизация технологических процессов и производств»____

(код и наименование специальности)

_____АС -21_____________

ПК- профессиональные

ОК- общие

ПК

ПК 2.1. Выполнять работы по монтажу систем  автоматического управления с учетом специфики технологического процесса

ПК 2.2. Проводить ремонт технических средств и систем автоматического управления

ПК 2.3. Выполнять работы по наладке систем  автоматического управления

ОК

 ОК 1.        Понимать сущность и социальную значимость своей будущей профессии, проявлять к ней устойчивый интерес.

ОК 2.        Организовывать собственную деятельность, выбирать типовые методы и способы выполнения профессиональных задач, оценивать их эффективность и качество.

ОК 3.        Принимать решения в стандартных и нестандартных ситуациях и нести за них ответственность.

ОК 4.        Осуществлять поиск и использование информации, необходимой для эффективного выполнения профессиональных задач, профессионального и личностного развития.

ОК 5.        Использовать информационно-коммуникационные технологии в профессиональной деятельности.

ОК 6.        Работать в коллективе и команде, эффективно общаться с коллегами, руководством, потребителями.

ОК 7.        Брать на себя ответственность за работу членов команды (подчиненных), результат выполнения заданий.

ОК 8.        Самостоятельно определять задачи профессионального и личностного развития, заниматься самообразованием, осознанно планировать повышение квалификации.

ОК 9.        Ориентироваться в условиях частой смены технологий в профессиональной деятельности.

ОК 10.        Обеспечивать соблюдение правил охраны труда, промышленной и экологической безопасности.

Курс, семестр

Учебная нагрузка обучающихся (час.)

Максимальная

учебная

нагрузка

Обязательная аудиторная учебная нагрузка обучающихся

Самостоятельная работа

обучающихся,

 часов

Всего, часов

в т.ч.

Теоретические занятия

Лабораторные работы, часов

Практические занятия,

часов

Курсовые работы

(проекты)

2  курс     I семестр

150

100

52

34

14

50

Всего

150

100

52

34

14

50

№ п/п

Наименование

Автор

Издательство, год издания

ОИ 1

[1] Электронная техника. Начало

Е.А. Москатов

Учебное пособие , 3-е переработанное и дополненное, 2010.-204.

ОИ 2

[2] Электронная техника.

В.Ш. Берекашвили, А.К. Черепанов

Учебное пособие для студ. сред. Проф. Образования, 3-е издание, 2007.-368

№ п/п

Наименование

Автор

Издательство, год издания

ДИ 1

[1] Сборник задач к практическим занятиям

по дисциплине «Электронная техника»

Н. Ю. Шевченко

РПК «Политехник», Волгоград  2007

ДИ 2

[2] Задачник по электронике: практикум для студентов сред. проф. образования

В.И. Полещук

Изд. Центр Академия, Москва 2008 -106 с.

И-Р 1

WWW.C-STUD.RU/WORK_HTML/LOOK_FULL.HTML

№ п/п

Материально-техническое обеспечение занятий

1.

проектор, экран, компьютер с лицензионным программным обеспечением, лабораторные стенды

2.

УМК учебной дисциплины

№ п/п

Наименование разделов, тем, занятий

Обязательная учебная нагрузка

Календ. сроки

изучения

Внеаудиторная самостоятельная

работа обучающихся

Информац.

и матер.

обеспечение занятий

Формы и

методы

контроля

Вид занятия

(внеаудиторной работы)

Кол-во часов

Кол-во

часов

Вид

занятия

1-2

Раздел I. . Полупроводниковые приборы

Тема 1.1. Основы электронной теории

Тема 1.1. Значение и содержание учебной дисциплины "Электронная техника" и связь ее с другими дисциплинами профессионального цикла.. Краткий обзор и  основные  направления  развития  и  применения промышленной электроники. Как изучать электронику? Физические свойства электронов, электрон как элементарная частица. Движение электронов в однородном магнитном поле. Движение электронов в неоднородных полях. Виды электронной эмиссии

2

Урок лекция

Январь 2013

Проработка конспекта занятий по теме физические свойства электронов, электрон как элементарная частица. Движение электронов в однородном магнитном поле. Движение электронов в неоднородных полях. Виды электронной эмиссии  [2]. стр. 5-13; [1] стр. 22-23

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

3-4

Практическое занятие №1. Определение и классификация электронных приборов.

2

ПЗ

Январь 2013

Подготовить отчёт по ПЗ

[1] стр. 6-8

1

И-Р 1

ДИ1

Экспертное наблюдение и оценка на практических занятиях

5-6

Тема 1.2. Свойства полупроводников

Тема 1.2. Собственная проводимость и способы образования примесных проводимостей полупроводников. Свойства и структура полупроводников, электронная и дырочная примесная проводимости.

2

Комбинированный урок

Январь 2013

Проработка конспекта занятий по теме собственная проводимость и способы образования примесных проводимостей полупроводников. Свойства и структура полупроводников [2] стр. 14-21; [1] стр. 23-27

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

7-8

Практическое занятие №2. Достоинства и недостатки полупроводниковых приборов.

2

ПЗ

Январь 2013

Подготовить отчёт по ПЗ [1] стр. 8-13

1

И-Р 1

ДИ1

Экспертное наблюдение и оценка на практических занятиях

9-10

Тема 1.3. Электронно-дырочный переход

Тема 1.3. Общие сведения о переходах в полупроводниках, образование полупроводникового перехода. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения, возникновение потенциального барьера, высота барьера, контактная разность потенциалов. Электронно-дырочный переход при прямом и обратном внешнем напряжении, инжекция и экстракция носителей заряда.

2

Комбинированный урок

Январь 2013

Подготовить доклад по теме: общие сведения о переходах в полупроводниках, образование полупроводникового перехода. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения, возникновение потенциального барьера, [2] стр. 14-21;  [1] стр. 27-29

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: фронтального опроса

11-12

Практическое занятие №3. Физические процессы происходящие в переходе, изменение высоты потенциального барьера и влияние на электропроводность перехода.

Прямой и обратный токи в n-p переходе при внешнем постоянном напряжении.

2

ПЗ

Январь 2013

Проработка конспекта занятий по теме физические процессы происходящие в переходе, изменение высоты потенциального барьера и влияние на электропроводность перехода.,  [1] стр. 29-32

1

И-Р 1

ОИ 1,

Экспертное наблюдение и оценка на практических занятиях 

13-14

Контрольная работа №1 по темам 1.1.-1.3

2

КР

Январь 2013

1

И-Р 1

ОИ 1,

презентация,

Текущий контроль в форме:

КР

15-16

Тема 1.4. Оптические и фотоэлектрические явления

Тема 1.4. Общие сведения о фотоэффекте в полупроводниках, фотопроводимость полупроводников, фотоэлектронная эмиссия, фотогальванический эффект, излучение в полупроводниках.

2

Комбинированный урок

Февраль 2013

Проработка конспекта занятий по теме возникновение термо - ЭДС. Полупроводниковые термоэлементы,

ОИ 1: [1] стр. 37- 4;4

ДИ 1: [1] стр. 13- 15

1

И-Р 1

ОИ 1,

ДИ 1,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

17-18

Тема 1.5.  Простейшие полупроводниковые приборы

Тема 1.5. Общие сведения о полупроводниковых резисторах. Варисторы и позисторы, конструкция, работа, характеристики. Термо- и тензорезисторы, конструкция, работа, характеристики.

2

Комбинированный урок

Февраль 2013

Проработка конспекта занятий по теме общие сведения о полупроводниковых резисторах. Варисторы и позисторы, конструкция, работа, характеристики [1] стр. 14-17

1

И-Р 1

ОИ 1,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

19-20

Тема 1.5. Возникновение термо - ЭДС. Полупроводниковые термоэлементы, конструкция, работа, характеристики. Фоторезисторы, конструкция, работа, характеристики, схема включения.

2

Комбинированный урок

Февраль 2013

Проработка конспекта занятий по теме возникновение термо - ЭДС. Полупроводниковые термоэлементы, [1] стр. 17-19

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

21-22

Лабораторная работа №1. Исследование фоторезистора.

2

ЛР

Февраль 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ОИ 1,

ДИ1

Проверка оформления отчётов

23-24

Лабораторная работа №2. Исследование полупроводниковых резисторов.

2

ЛР

Февраль 2013

Подготовить отчёт по ЛР 

1

И-Р 1

ДИ1,

Проверка оформления отчётов

25-26

Лабораторная работа №3. Исследование схем включения фоторезисторов.

2

ЛР

Февраль 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ДИ1,

Проверка оформления отчётов

27-28

Лабораторная работа №4. Исследование терморезистора.

2

ЛР

Февраль 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ДИ1,

Проверка оформления отчётов

29-30

Лабораторная работа №5. Вычисления термо-эдс.

2

ЛР

Февраль 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ДИ1,

Проверка оформления отчётов

31-32

Лабораторная работа №6. Исследование тензорезистора.

2

ЛР

Февраль 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ДИ1,

Проверка оформления отчётов

33-34

Лабораторная работа №7. Исследование схем включения термо и тензо-резисторов.

2

ЛР

Февраль 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ДИ1

Проверка оформления отчётов

35-36

Тема 1.6. Полупроводниковые диоды

Тема 1.6. Классификация полупроводниковых диодов. Маркировка и обозначение полупроводниковых диодов. Устройство сплавного и точечного диодов, особенности конструкции диодов. Вольт – амперная характеристика диода, параметры прямой и обратной ветви ВАХ, пробой в диодах. Параметры диодов.

2

Комбинированный урок

Март 2013

Проработка конспекта занятий по теме классификация полупроводниковых диодов. Маркировка и обозначение полупроводниковых диодов. Устройство [1] стр. 46-49; [2] стр. 6-7;

1

И-Р 1

ОИ 1,

ДИ 2

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

37-38

Тема 1.6. Выпрямительные диоды, особенности конструкции, параметры и применение. Однополупериодная схема выпрямления на диодах, работа, диаграммы работы и параметры. Однофазный мостовой выпрямитель на диодах, работа, диаграммы работы и параметры.

2

Комбинированный урок

Март 2013

Проработка конспекта занятий по теме выпрямительные диоды, особенности конструкции, параметры и применение [1] стр. 49-59

1

ОИ 1,

презентация,

Текущий контроль в форме: фронтального

 опроса

39-40

Практическое занятие №4. Исследование последовательного и параллельного соединения диодов.

2

ПЗ

Март 2013

Подготовить отчёт по ПЗ

1

И-Р 1

ДИ1

Экспертное наблюдение и оценка на практических занятиях

41-42

Практическое занятие №5. Опорные диоды – стабилитроны, вольт – амперная характеристика, область электрического пробоя, параметры рабочего участка стабилизации.

2

ПЗ

Март 2013

Подготовить отчёт по ПЗ

1

И-Р 1

ДИ1

Экспертное наблюдение и оценка на практических занятиях

43-44

Лабораторная работа №8. Исследование выпрямительных диодов.

2

ЛР

Март 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ДИ1

Проверка оформления отчётов

45-46

Лабораторная работа №9. Исследование вольт-амперных характеристик диодов.

2

ЛР

Март 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ДИ1

Проверка оформления отчётов

47-48

Лабораторная работа №10. Исследование кремниевых стабилитронов.

2

ЛР

Март 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ДИ1

Проверка оформления отчётов

49-50

Лабораторная работа №11. Исследование вольт-амперных характеристик стабилитронов.

2

ЛР

Март 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ДИ1

Проверка оформления отчётов

51-52

Тема 1.7. Тиристоры

Тема 1.7. Общие сведения о переключающих полупроводниковых приборах. Классификация и обозначение тиристоров. Конструкция тиристора, схема включения.

2

Комбинированный урок

Март 2013

Проработка конспекта занятий по теме общие сведения о переключающих полупроводниковых приборах. Классификация и обозначение тиристоров [1] стр. 95-98

1

И-Р 1

ОИ 1,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

53-54

Тема 1.7. Вольт – амперная характеристики динистора, схема включения и его работа. Вольт – амперная характеристики тиристора и его работа, управление включением тиристора. Основные параметры тиристоров. Симметричные тиристоры, схема включения, работа симистора. Генератор пилы на тиристоре, схема включения, диаграммы работы, принцип действия.

2

Комбинированный урок

Март 2013

Проработка конспекта занятий по теме вольт – амперная характеристики динистора, схема включения и его работа. Вольт – амперная характеристики тиристора и его работа, управление включением тиристора, напряжённость.  [2] стр. 48-51; 

[1] стр. 98-104;

 [2] стр. 15-16;

1

ОИ 1,

ОИ 2,

ДИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: тестирования

55-56

Лабораторная работа №12. Исследование динистора.

2

ЛР

Март 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ОИ 1,

Отчёт по работе

57-58

Лабораторная работа №13. Исследование тиристора.

2

ЛР

Март 2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

ОИ 1,

Отчёт по работе

59-60

Тема 1.8. Биполярные транзисторы

Тема 1.8. Общие сведения о транзисторах. Устройство и обозначение биполярных транзисторов. Классификация биполярных транзисторов. Маркировка транзисторов. Устройство сплавного и диффузионного транзистора. Конструкция маломощных транзисторов.

2

Комбинированный урок

Апрель  2013

Проработка конспекта занятий по теме общие сведения о транзисторах. Устройство и обозначение биполярных транзисторов [2] стр. 140-141; [1] стр. 61—65;

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

61-62

Тема 1.8. Схемы включения транзисторов на источники питания в усилительном режиме. Физические процессы при работе транзистора n-p-n проводимости. Схема подключения транзистора n-p-n проводимости на источники питания.

2

Комбинированный урок

Апрель  2013

Проработка конспекта занятий по теме физические процессы при работе транзистора n-p-n проводимости. Схема подключения транзистора n-p-n проводимости на источники питания, [2] стр. 52-53;

[2] стр. 8-12;

1

И-Р 1

ОИ 1,

ДИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

63-64

Тема 1.8. Общие сведения о схемах включения транзисторов. Схема включения транзистора с общим эмиттером и ее параметры. Схема включения транзистора с общей базой. Схема включения транзистора с общим коллектором.

2

Комбинированный урок

Апрель  2013

Проработка конспекта занятий по теме схема включения транзистора с общей базой. Схема включения транзистора с общим коллектором, [2] стр. 52-57; [1] стр. 68-72

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: тестирования

65-66

Тема 1.9. Параметры и характеристики биполярных транзисторов

Тема 1.9. Общие сведения о характеристиках транзисторов. Входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Выходные характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером.

2

Комбинированный урок

Апрель  2013

Проработка конспекта занятий по теме общие сведения о характеристиках транзисторов. Входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером, [2] стр. 53-57

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: фронтальногоопроса

67-68

Тема 1.9. Характеристики маломощных транзисторов. Сравнительный анализ входных и выходных характеристик транзисторов. Характеристики транзистора в схеме с общей базой.

2

Комбинированный урок

Апрель  2013

Проработка конспекта занятий по теме характеристики маломощных транзисторов, [2] стр. 57-60

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

69-70

Тема 1.9. Параметры транзисторов, общие сведения. Параметры малого сигнала, h параметры. Электрические справочные параметры транзисторов. Температурные свойства транзисторов. Частотные свойства транзисторов. Схема смещения базы транзистора с одним резистором. Схема смещения базы транзистора с делителем.

2

Комбинированный урок

Апрель  2013

Проработка конспекта занятий по теме параметры транзисторов, общие сведения. Параметры малого сигнала, h параметры, [2] стр. 141-145; [1] стр. 73-76

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: фронтального опроса

71-72

Лабораторная работа №14. Исследование характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

2

ЛР

Апрель  2013

Подготовить отчёт по ПЗ

1

И-Р 1

Отчёт по работе

73-74

Лабораторная работа №15. Исследование характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой.

2

ЛР

Май  2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

Отчёт по работе

75-76

Тема 1.10. Полевые транзисторы

Тема 1.10. Общие сведения и обозначения полевых транзисторов. Конструкция полевого транзистора. Принцип работы полевого транзистора с n-каналом. Конструкция полевого транзистора с изолированным затвором. Работа транзистора с изолированным затвором.

2

Комбинированный урок

Май  2013

Проработка конспекта занятий по теме общие сведения и обозначения полевых транзисторов. Конструкция полевого транзистора, [2] стр. 66-68; [1] стр. 76-82

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

77-78

Тема 1.10. Характеристики полевого транзистора с изолированным затвором. Выходная (стоковая) характеристика полевого транзистора. Стоко – затворная характеристики полевого транзистора. Однопереходный транзистор, конструкция, схема включения и работа транзистора.

2

Комбинированный урок

Май  2013

Проработка конспекта занятий по теме характеристики полевого транзистора с изолированным затвором. Выходная (стоковая) характеристика полевого транзистора, [1] стр. 82-84;

 [2] стр. 12-15;

1

И-Р 1

ОИ 1,

ДИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: тестирования

79-80

Лабораторная работа №16. Исследование полевого транзистора.

2

ЛР

Май  2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

Оформить отчет и подготовиться к защите работы

81-82

Лабораторная работа №17. Исследование однопереходного транзистора.

2

ЛР

Май  2013

Подготовить отчёт по ЛР

1

И-Р 1

Отчет по работе

83-84

Раздел 2. Электровакуумные приборы

Тема 2.1. Электровакуумные лампы

Тема 2.1. Общие сведения и классификация электровакуумных приборов. Обозначение электронных ламп. Конструкция электронных ламп. Устройство катодов, анодов и сеток. Электронная эмиссия. Особенности устройства ламп. Термоэлектродные катоды.

2

Комбинированный урок

Май  2013

Проработка конспекта занятий по теме общие сведения и классификация электровакуумных приборов. Обозначение электронных ламп., [2] стр. 21-25; [1] стр. 105-110

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

85-86

Тема 2.1. Схема включения и принцип действия диодов. Двухполупериодная схема выпрямления на диодах. Анодная характеристика диода. Крутизна анодной характеристики. Основные типы и применение диодов.

2

Комбинированный урок

Июнь

2013

Проработка конспекта занятий по теме схема включения и принцип действия диодов. Двухполупериодная схема выпрямления на диодах, [2] стр. 25-27; [1] стр. 110-115

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: тестирование

87-88

Тема 2.2. Индикаторные и газоразрядные приборы

Тема 2.2. Общие сведения об индикаторах, классификация индикаторов, определения по индикаторам.

Знакосинтезирующие индикаторы, светодиодный цифровой индикатор, накальный вакуумный индикатор, электролюминесцентные индикаторы, жидкокристаллические индикаторы.

2

Комбинированный урок

Июнь

2013

Проработка конспекта занятий по теме общие сведения об индикаторах, классификация индикаторов, определения по индикаторам, [2] стр. 35-47; [1] стр. 137-140

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

89-90

Тема 2.2. Электрический разряд в газах, тлеющий разряд, дуговой разряд, ВАХ разряда. Приборы тлеющего разряда, тиратроны.Общие сведения о дисплеях, электронные и электрофорезные дисплеи.

2

Практическое занятие

Июнь

2013

Проработка конспекта занятий по теме приборы тлеющего разряда, тиратроны.Общие сведения о дисплеях, электронные и электрофорезные дисплеи, [2] стр. 160-163; [1] стр. 142-144

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ 2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

91-92

Раздел 3. Микроэлектроника

Тема 3.1. Интегральные схемы

Тема 3.1. Интегральные схемы – средства дальнейшей миниатюризации и повышения надежности электронной аппаратуры.

2

Комбинированный урок

Июнь

2013

Проработка конспекта занятий по теме общие сведения, классификация интегральных микросхем, система обозначений, [2] стр. 71-89

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

93-94

Тема 3.1. Общие сведения, классификация интегральных микросхем, система обозначений. Пленочные и гибридные интегральные схемы, резисторы, конденсаторы, катушки. Структура микросхем.

2

Комбинированный урок

Июнь

2013

Проработка конспекта занятий по теме источники электрической энергии синусоидального тока,  [2] стр. 71-89; [1] стр. 132-136

1

И-Р 1

ОИ 1,

ОИ2,

презентация,

Текущий контроль в форме: устного опроса

95-96

Практическое занятие № 6. Сравнительные характеристики пленочных и гибридных интегральных схем.

2

ПЗ

Июнь

2013

Подготовить отчёт по ПЗ

[1] стр. 17- 18

1

И-Р 1

ДИ 1,

Экспертное наблюдение и оценка на практических занятиях

97-98

Практическое занятие № 7. Изучение полупроводниковых интегральных схем.

2

ПЗ

Июнь

2013

Подготовить отчёт по ПЗ [1] стр. 18- 20

1

И-Р 1

ДИ 1

Экспертное наблюдение и оценка на практических занятиях

99-100

Тема 3.2. Пьезоэлектроника, магнито-электроника, квантовая электроника

Тема 3.2. Физические основы пьезоэлектроники, приборы пьезоэлектроники, простейшие схемы, кварцевые резонаторы.

2

Комбинорованный урок

Июнь

2013

Проработка конспекта занятий по теме физические основы пьезоэлектроники, приборы пьезоэлектроники,  [1] стр. 145-150

1

И-Р 1

ОИ 1,

презентация,

Текущий контроль в форме: тестирование

Итоговая аттестация

100

50

Дата

 контроля

Цель контроля

Замечания

Срок исправления

Кто проверил

Недостатки

 исправлены